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　　本发明涉及光伏医疗，具体涉及一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件及制备和控制方法。

　　1、帕金森病（parkinsonsdisease，pd）是一种临床上以运动障碍（运动减少与迟缓、肌肉强直、肢体震颤及姿势步态异常）为其主要症状，病理上以黑质多巴胺能神经元进行性丢失和路易小体形成为其主要特征。

　　2、目前，pd的治疗方法主要包括药物治疗、手术治疗以脑深部电刺激术（dbs）为主，以及物理疗法和运动疗法等。随着疾病发展，药物治疗效果不明显，还会出现异动症、开关现象、剂末现象等。dbs可以显著改善症状，减少药物副作用，长期疗效相对稳定，但是作为一种侵入性治疗方式，存在潜在并发症及高昂成本。在临床研究中，dbs装置的应用需在皮下植入电池及刺激控制器。此过程中存在一定的炎症感染风险，可能影响患者的康复和装置的有效性。此外，dbs装置电池的更换手术同样具有潜在并发症，如出血、感染或神经损伤，这些均需在手术前进行充分评估和告知。

　　1、本发明克服了现有技术的不足，提供了一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件及制备和控制方法，通过光伏器件的光生伏特效应，能将不同频率的光信号转化为电脉冲信号；通过光调控光伏器件的电信号用于实现光伏器件的膜电位去极化。

　　2、为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件，包括：半导体薄膜和金属刺激电极，金属刺激电极的一端与半导体薄膜电连接，金属刺激电极的另一端为接触端与外部待测物接触，半导体薄膜外部设置有内层封装层，内层封装层包裹住半导体薄膜，以及金属刺激电极和半导体薄膜电连接的连接处；内层封装层的外部还设置有外封装层，且金属刺激电极的接触端穿设出内层封装层和/或外封装层，外封装层上预留有与半导体薄膜对应的光照射区域。

　　3、本发明一个优选的九游娱乐官方平台实施方案中，半导体薄膜上电连接有至少一对金属刺激电极，每对金属刺激电极包括两根功函数不同的金属丝，两根功函数不同的金属丝分别电连接在半导体薄膜的两侧。

　　4、本发明一个优选的实施方案中，金属刺激电极的接触端上设置有具有生物相容性的高分子导电材料。

　　5、本发明一个优选的实施方案中，半导体薄膜为单晶硅片，金属刺激电极与半导体薄膜焊接连接。

　　6、本发明一个优选的实施九游娱乐官方平台方案中，半导体薄膜的硅片外侧面作为接收面接收从外封装层上预留的光照射区域进入的光。

　　8、本发明一个优选的实施方案中，内层封装层包括化学气相沉积在半导体薄膜外部的透明派瑞林，透明派瑞林包覆在半导体薄膜的外部。

　　9、本发明一个优选的实施方案中，外封装层包括封装在所述内层封装层上方的透明塑料和在内层封装层周围的不透明塑料；

　　12、本发明一个优选的实施方案中，一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件的制备方法，包括以下步骤：

　　14、半导体薄膜的制备包括以下步骤：将p型硅片浸泡在碱溶液中，浸泡温度为70-90℃，浸泡反应时间为30-40分钟；然后将碱性浸泡后的p型硅片取出，用去离子水冲洗，然后进行抛光得到厚度为200-300μm厚度的硅片，获得半导体薄膜；

　　16、获取铝丝和铂丝作为金属丝，将铝丝和铂丝的一端分别焊接在半导体薄膜的两侧，将铝丝和铂丝的另一端表面涂布高分子导电材料，高分子导电材料在铝丝和铂丝的接触端形成高分子导电材料薄膜，高分子导电材料采用的是pedot:pss；

　　17、步骤2，对焊接有金属刺激电极的半导体薄膜进行器件封装；器件封装包括以下步骤；

　　18、在半导体薄膜的外部采用化学气相沉积方法在表面共形沉积派瑞林薄膜，在半导体薄膜的外部形成内层封装层；在半导体薄膜外部的内层封装层外进行塑料封装，并在塑料封装时对应半导体薄膜外部的内层封装层上留出光照射区域，获得平面型光伏器件。

　　19、本发明一个优选的实施方案中，一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件的控制方法，包括以下步骤：

　　20、给予光伏器件100hz~1000hz的光，通过改变光的频率和照射时间调节光伏器件生成的电信号强度以及电信号产生的时间；通过光调控光伏器件的电信号用于实现光伏器件的膜电位去极化。

　　22、本发明的一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件及制备和控制方法，通过光伏器件的光生伏特效应，将不同频率的光信号转化为电脉冲信号。

　　23、通过改变光的频率和照射时间调节光伏器件生成的电信号强度以及电信号产生的时间；通过光调控光伏器件的电信号用于实现光伏器件的膜电位去极化。

　　1.一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于，包括：半导体薄膜和金属刺激电极，金属刺激电极的一端与半导体薄膜电连接，金属刺激电极的另一端为接触端与外部待测物接触，半导体薄膜外部设置有内层封装层，内层封装层包裹住半导体薄膜，以及金属刺激电极和半导体薄膜电连接的连接处；内层封装层的外部还设置有外封装层，且金属刺激电极的接触端穿设出内层封装层和/或外封装层，外封装层上预留有与半导体薄膜对应的光照射区域。

　　3.根据权利要求2所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于：所述金属刺激电极的接触端上设置有具有生物相容性的高分子导电材料。

　　4.根据权利要求3所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于：所述半导体薄膜为单晶硅片，所述金属刺激电极与所述半导体薄膜焊接连接。

　　5.根据权利要求4所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于：所述半导体薄膜的硅片外侧面作为接收面接收从外封装层上预留的光照射区域进入的光。

　　6.根据权利要求5所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于：所述半导体薄膜的厚度为200-300μm。

　　7.根据权利要求6所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于：所述内层封装层包括化学气相沉积在所述半导体薄膜外部的透明派瑞林，所述透明派瑞林包覆在所述半导体薄膜的外部。

　　8.根据权利要求7所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，其特征在于： 所述外封装层包括封装在所述内层封装层上方的透明塑料和在内层封装层周围的不透明塑料；

　　9.一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件的制备方法，其特征在于：用于制备权利要求1-8中任一权利要求所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，制备方法包括以下步骤：

　　10.一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件的控制方法，其特征在于：用于控制权利要求1-8中任一权利要求所述的应用于无源神经刺激调控的光伏器件，控制方法包括以下步骤：给予光伏器件100hz~1000hz的光，通过改变光的频率和照射时间调节光伏器件生成的电信号强度以及电信号产生的时间；通过光调控光伏器件的电信号用于实现光伏器件的膜电位去极化。

　　本发明公开了光伏医疗技术领域中的一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件及制备和控制方法，其中的光伏器件，包括：半导体薄膜和金属刺激电极，金属刺激电极的一端与半导体薄膜电连接，金属刺激电极的另一端为接触端与外部待测物接触，半导体薄膜外部设置有内层封装层，内层封装层包裹住半导体薄膜，以及金属刺激电极和半导体薄膜电连接的连接处；内层封装层的外部还设置有外封装层，且金属刺激电极的接触端穿设出内层封装层和/或外封装层，外封装层上预留有与半导体薄膜对应的光照射区域。本发明公开的一种应用于无源神经刺激调控的光伏器件及制备和控制方法，通过光伏器件的光生伏特效应能将不同频率的光信号转化为电脉冲信号。

　　技术研发人员：王芬,刘春风,邓巍,刘俊逸,程筱雨,沈赟,曹冰儿,毛成洁

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